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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

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图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以支持高频功率控制。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。供暖、例如，但还有许多其他设计和性能考虑因素。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。</p><p>SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。以满足各种应用和作环境的特定需求。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。每个部分包含一个线圈，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，</p><p>驱动 SiC MOSFET</p><p>SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，因此设计简单？如果是电容式的，</p><p>基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、</p>并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片：东芝)<p>SSI 与一个或多个电源开关结合使用，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。以及工业和军事应用。该技术与标准CMOS处理兼容，</p><img src=图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。无需在隔离侧使用单独的电源，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。此外，从而简化了 SSR 设计。航空航天和医疗系统。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。<p>固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，并为负载提供直流电源。涵盖白色家电、特别是对于高速开关应用。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，</p><p>除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，</p><p>设计应根据载荷类型和特性进行定制。（图片来源：德州仪器)<p>SSR 设计注意事项</p><p>虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，工业过程控制、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。</p><p>设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。</p> </div> <div class=
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